<특징>

반도체 Device, Flat Panel Display의 제조Process에 있어서 CVD (Chemical Vapor Deposition)방법에 의한 박막 형성은 대안히 중요한 공정입니다.
현재, 주로 열CVD, Plasma CVD, 상압CVD로 박막을 성막하고 있습니다만, 차세대의 반도체Device, 유기EL Display등에 있어서는 400도 이상의 고온이나 Plasma가 발생하지않는 Low Damage Process가 요구됩니다.
진공자외선 (Vacuum Ultraviolet)을 이용한 CVD법(VUV-CVD)는 광자Energy만을 사용하여 효율 높게 원료Gas를 분해하여 성막을 합니다.
저온, Low Damage의 광CVD는 유기EL제조공정의 보호막 성막 과정에서 평탄화막의 최적공정이라고 생각됩니다.

<원리>

아래 그림에서 볼수 있는 것 처럼 원료TEOS의 결합Energy는 7.2eV로 대단히 높은Energy를 가지고 있기 때문에 Si-O 이외의 결합이 절단되어, 산화막을 Work 기반에 적층이 가능합니다.

<성막Rate>

아래 그림은 원료Gas의 변경 시에 생성된 Rate입니다.
VUV-CVD법의 생성Rate는 원료Gas에 의존합니다.
Gas C에 있어서 300nm/min 이상의 고속 성막이 가능합니다.

<매입 특성>

아래 그림은 VUV-CVD 막을 반도체 Device에 응용한 예입니다.
VUV-CVD막을 배선 간 또는 층 간 막에 사용함으로 CMP(Chemical Mechanical Polishing)를 사용하지 않고도 매입 특성이 우수한 평탄막 형성이 가능합니다.