글쓴이 : Lantech

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IBSS ION Beam Sputtering Machine

당사는 일본의 교토대학 연구실에서 Ion Beam의 응용 연구를 하고있습니다.
하기는 당사의 Ion Beam Sputter Source입니다. Ion Beam Sputtering는 저온에서의 박막형성이 가능하며, 소재에의 Plasma에 의한 영향이 없는 것이 특징입니다.
(계약에 따라 Sputter Source의 단품으로도 판매가 가능합니다)

  특  징                                                                

대은 가능 면적: 기본적으로 2m*2m도 가능하며, 상세 Size는 상담 부탁 드립니다.

균일도     : ±3% ~ 5%
성막 온도 : 60 ~ 120도
대응가능 막의 종류: SiN, SiON, ITO등 연속으로 다른 종류의 성막이 가능합니다.