대은 기반Size    :  Max 730×920mm
진공도              :  1×10-1pa
가압                 :  ～2kg/cm2
위치 결정 정도   :  ±2μm
기반 고정 방식   :  정전Chucking
※Option: 경화용 Hot Plate 및 Spot UV Curing설치 가능

<주요 사용 예>
유기EL (AMOLED), 소형 액정, CMOS Sensor, Touch Panel, 태양전지등

<대상기판>
Glass, Wafer, Plastic, Film etc.